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2022-12-12 09:12:56
雜質含有率為500ppm以下的高純
碳化硅粉末。該
碳化硅粉末為硅酸質原料和碳質原料混合而成的碳化硅制造用原料,通過利用艾奇遜爐4的發熱體2對碳質原料與硅酸質原料的混合摩爾比(C/SiO2)為2.5~4.0且雜質含有率為120ppm以下的碳化硅制造用原料進行加熱,可以得到該高純碳化硅粉末。以往以來,高純碳化硅(SiC)被廣泛用作拋光或磨削材、陶瓷燒結體和導電性材料等工業用材料。特別是,由于近來節能意識的提高、棄引起的期待活用自然再生能源等社會背景
廢舊碳化硅,需求高純碳化硅粉末作為功率半導體等中使用的單晶材料。

脫硅處理時,除被硅的氧化所消耗的氧之外,使供給給鐵水的氧量以相對于裝入上述轉爐型精煉容器內的鐵水和冷鐵源的合計質量的單耗計,在2Nm3/t以上;冷鐵源為選自廢鐵或直接還原鐵和冷鐵中的至少一種;從脫硅處理結束時到排出脫硅爐渣之間的時間在4分鐘以內;含有CaO作為主要成分的輔助原料為選自轉爐渣和在實施鐵水包精煉時生成的爐渣(鐵水包渣)中的至少一種;含硅物質,使用以65碳化硅為主要成分的輔助原料;

因此,對于大部分鋼種,應當盡可能地降低鋼中的氮含量。鋼一般要求的含氮量不大于0.008%。氮氣是空氣中的主要物質,在使用82碳化硅之前從煉鋼到連鑄生產過程中很容易被吸入鋼水,并且很難在常規條件下以化學反應的方法去除。因此,減少煉鋼到連鑄過程中的增氮量一直是煉鋼過程的一個難題。rh、vd等真空脫氣設備可以去除鋼中的氮,但這在一定基礎上既增加成本又延長處理時間。

碳化硅家族中有一員叫“反應燒結碳化硅”
碳化硅顆粒,它是一種近乎完全致密的工程陶瓷,既能保持碳化硅陶瓷高強度、高硬度、耐磨損等優良力學性能,同時還能兼具抗熱震、高熱導率、低膨脹系數等熱學性能、耐酸堿侵蝕等化學性能,是現代工業的重要陶瓷材料之一。反應燒結碳化硅的制備原理,是以α-SiC和C為原料,加入適量的粘結劑進行成型和千燥處理,然后放入含有Si的埋料中,

當坯體在爐內受熱時坯體周圍的Si熔融,滲入到坯體的毛細管中同坯體中的C反應生成SiC。產生的SiC逐漸填充坯體中的孔隙,并把原有的α-SiC連結起來,達到制品的致密化,并獲得強度。由此可見,碳化硅的制備過程離不開碳源。碳源的選項有石墨、炭黑、樹脂等,其中炭黑是使用歷史較為長久的一種。但在實際應用中,炭黑的用量也需講究一個度,加多加少都會對碳化硅的組織與性能造成極大的影響,因此許多研究員開始對其適宜用量展開了研究